三星存儲芯片領(lǐng)域最新突破 將在硅谷舉辦三星存儲器技術(shù)日活動

(資料圖)

【太平洋科技資訊】近日，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培透露，該公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的樣品，并計劃在明年初實現(xiàn)量產(chǎn)。同時，三星還在開發(fā)行業(yè)領(lǐng)先的11nm級DRAM芯片。為了實現(xiàn)這些目標(biāo)，三星正在為DRAM開發(fā)3D堆疊結(jié)構(gòu)和新材料，而對于NAND閃存，三星則通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。

李政培指出，在即將到來的10nm以下DRAM和超過1000層的V-NAND芯片時代，新結(jié)構(gòu)和新材料將變得非常重要。此外，AI芯片對于三星電子來說也至關(guān)重要。該公司已經(jīng)開始生產(chǎn)HBM3高性能內(nèi)存芯片，并正在開發(fā)下一代HBM3E。三星希望為客戶生產(chǎn)“定制”的HBM芯片，以滿足超級規(guī)模AI等新應(yīng)用的需求。

為了進(jìn)一步展示其最新的存儲器芯片技術(shù)和產(chǎn)品，三星電子將于10月20日在硅谷舉辦三星存儲器技術(shù)日2023活動。通過這些最新的開發(fā)進(jìn)展，三星電子將為未來科技發(fā)展注入新動力。其在存儲芯片領(lǐng)域的突破將推動數(shù)據(jù)存儲和處理能力的提升，為人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的發(fā)展提供更強大的支持。

【知多D】

DXOMARK官方公布了三星Galaxy S23 Ultra的影像測試結(jié)果，該機的影像測試總分為140分，排名第10。

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