Intel 4制程節(jié)點已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)：采用EUV 將用于新一代產(chǎn)品

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近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點。Intel 4大規(guī)模量產(chǎn)的如期實現(xiàn)，再次證明了英特爾正以強大的執(zhí)行力推進“四年五個制程節(jié)點”計劃，并將其應用于新一代的領先產(chǎn)品，滿足AI推動下“芯經(jīng)濟”指數(shù)級增長的算力需求。

作為英特爾首個采用極紫外光刻技術生產(chǎn)的制程節(jié)點，Intel 4與先前的節(jié)點相比，在性能、能效和晶體管密度方面均實現(xiàn)了顯著提升。極紫外光刻技術正在驅動著算力需求最高的應用，如AI、先進移動網(wǎng)絡、自動駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應用。此外，對于英特爾順利實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”計劃，及在2025年重獲制程領先性而言，極紫外光刻技術也起著關鍵作用。

英特爾公司首席執(zhí)行官帕特·基辛格表示：“我為英特爾團隊以及客戶、供應商和合作伙伴感到驕傲，我們一起將Intel 4制程節(jié)點的大規(guī)模量產(chǎn)變?yōu)楝F(xiàn)實，在重獲制程領先性的道路上穩(wěn)步前進?！?/p>

英特爾“四年五個制程節(jié)點”計劃正在順利推進中。目前，Intel 7和Intel 4已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)；Intel 3正在按計劃推進，目標是2023年底；采用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術的Intel 20A和Intel 18A同樣進展順利，目標是2024年。英特爾將于不久后推出面向英特爾代工服務（IFS）客戶的Intel 18A制程設計套件（PDK）。

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